Modelo de Producto

MJ10100

Introducción

Transistor de potencia Silicon NPN de alta potencia

Marca y Fabricante

Motorola, Inc

Características

Construcción en silicona NPN, altas capacidades de voltaje, tiempos de conmutación rápidos, bajo voltaje de saturación, diseñado para aplicaciones de alto voltaje

Rendimiento del Producto

Excelentes características de linealidad de ganancia, alta disipación de potencia, duradero a frecuencias altas, capaz de soportar condiciones de alta carga

Especificaciones Técnicas

Voltaje Colector-Emisor (VCEO): 400 V, Voltaje Colector-Base (VCBO): 700 V, Voltaje Emisor-Base (VEBO): 9 V, Corriente de Colector (IC): 20 A, Disipación de Potencia (Pd): 175 W, Temperatura de unión en operación (TJ): -65 a +200°C

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete metálico TO-3, dimensiones conforme a los estándares de la industria para TO-3

Calidad y Fiabilidad

Sujeto a rigurosos estándares de prueba de Motorola, alta MTBF (Tiempo Medio Entre Fallas)

Ventajas del Producto

Capaz de manejar aplicaciones de alta potencia, buena respuesta de frecuencia, confiable en varios rangos de temperatura

Competitividad del Producto

Competitivo dentro del segmento de transistores de alta potencia, conocido por su durabilidad según los estándares de la industria

Compatibilidad

Complementario a transistores de potencia tipo PNP, fácilmente integrable en diseños de circuitos existentes

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con los estándares JEDEC para productos semiconductores

Duración y Sostenibilidad

Transistor robusto con una larga vida operativa, puede usarse en aplicaciones sostenibles considerando la eficiencia energética

Campos de Aplicación Real

Fuentes de alimentación industriales, amplificadores de audio, reguladores de conmutación, controles de motor, inversores

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